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北京市朝阳区酒仙桥路四号中国电科十一所园区
2001年，为了推进大型企业的技术进步，提升企业在经济全球化进程中的竞争力，加速国家级科研机构科研成果的产业化，
促进我国高新技术产业的发展，经过积极筹备，由中国科学院半导体所联合北京有色金属工业总公司共同组建了北京中科镓英半导体有限公司。
2001年12月26日，北京中科镓英半导体有限公司正式成立。
2002年4月28日中科镓英公司在北京市光机电一体化产业基地举行了隆重的奠基仪式。北京市市长刘淇、副市长刘海燕，中国科学院院长 路甬祥、副院长江绵恒等北京市政府、中国科学院等各部门的主要领导及专家亲临现场致辞祝贺。
2002年9月11日，中科镓英公司获得了北京市科学技术委员会颁发的《高新技术企业认定证书》。
2002年12月，北京市发展计划委员会、北京市科学技术委员会经过严格的资格审查、专家评定和实际考察，认定北京中科镓英半导体有限公司Ф4"、Ф6"半绝缘砷化镓（ SI-GaAs）单晶片"项目和"MBE砷化镓（ GaAs）外延片"项目为"北京市高新技术成果转化项目"。
中科镓英公司自成立以来，承担了国家"863"、产业化示范等多项国家级的任务。
公司一期投资规模为1.68亿元人民币，总投资规模为5.8亿元人民币。
目前中科镓英公司正处于创业阶段，公司将努力把中科院半导体所几十年来的科研技术积累逐渐实现产业化生产，以期不断将
新的科技成果及时转化为生产力，一举成为在国际上有重要地位的、能够生产多种化合物半导体材料的国际高科技公司。
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